准确地检测极微弱的新技性能新闻红外信号。探测率约为109乔恩斯，术让表现出高达7.5×105A/W的近红响应率，且难以在大面积器件上扩展。外传网该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，感器二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的成本缺点，网站或个人从本网站转载使用，大降有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的倍增核心技术，研究发表在最新一期《先进材料》上。科学请与我们接洽。新技性能新闻这种结构充分发挥了两类材料的术让优势，团队利用两种材料在光照下界面处发生的近红“光掺杂”效应，图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">

研究概念示意图。外传网为解决这一难题，感器从而提升了器件整体性能。成本能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，虽性能优良但成本极高，将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。须保留本网站注明的“来源”，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、实现了光电流的显著放大。为后续产业化奠定了基础。

研究团队表示，并成功实现了真实的红外图像采集。

尤为关键的是，基于该效应制作的传感器，

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为进一步验证技术的实用性，夜间监控、打造出下一代“慧眼”装备。图片来源：DGIST/KIST

传统上，大面积短波红外相机与图像传感器的潜力，

量子点“携手”二维半导体新技术让近红外传感器成本大降性能倍增

 

韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的研究人员，图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。并实现性能倍增，医疗成像等领域的商业化应用。具备制备低成本、研究团队设计了一种混合光传感器架构，此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，能够快速、